標準高電壓功率電晶體介紹
前言：
與雙極元件相比，功率元件中的金屬氧化物半導體場效電晶體(metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET )的主要缺點之一是其在高壓應用中的高導通損耗。通常，功率MOSFET具有雙擴散結構和輕摻雜漂移區以支援高電壓。下圖顯示了標準的高電壓功率元件，雙擴散金屬氧化物半導體場效電晶體 double-diffused MOSFET (DMOSFET)，圖中所示結構表示，導通電阻是導通狀態下源極和汲極之間的總電阻。這可以透過設備的電阻組件來確定。
以高電壓雙擴散金屬氧化物半導體場效電晶體DMOSFET而言，期主要的電阻組成有：通道電阻(channel resistance, Rch)、積累電阻(accumulation resistance)、在開啟狀態之下的漂移終端電阻，Ｒd，以及介於P-base之間由遷移區所貢獻的Rj電阻。對於高電壓功率元件而言，漂移區由於其摻雜的低濃度特性會產生很大的電阻。因為設計上必須降低漂移摻雜濃度，藉以獲得高電阻以此阻斷電壓來保護高電壓功率電晶體，非常重要。但也因此， 如欲提升一個高電壓雙擴散金屬氧化物半導體場效電晶體(DMOSFET)的崩潰電壓值，就勢必會導致其電阻值的顯著增加，而這對功率元件而言，若不從另一手段來降低電阻值，將會使得該高電壓功率元件因不當增加的電阻值，從而妨礙了整體電流得供應總量。
從理想狀態來合理簡化雙擴散金屬氧化物半導體場效電晶體 double-diffused MOSFET (DMOSFET)的電阻模型，該東綠園見的總電阻值主要是由飄移區電阻Rd此一單一因素所決定，並且可以合理假設電流均勻流過漂移區，沒有電流擴散效應。那麼，就n-通道而言，功率電晶體之導通電阻和崩潰電壓之間的關係可以合理簡化表示為：
就p-通道而言，功率電晶體之導通電阻和崩潰電壓之間的關係可以合理簡化表示為：
